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Si1926DL
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
I D (A)
Q g (Typ.)
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
60
1.4 at V GS = 10 V
3.0 at V GS = 4.5 V
0.37
0.25
0.47
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
? ESD Protected: 1800 V
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
? Low Power Load Switch
S 1
1
6
D 1
D 1
D 2
Marking Code
G 1
2
5
G 2
PD
XX
Lot Tracea b ility
D 2
3
4
S 2
and Date Code
Part # Code
G 1
G 2
Top V ie w
Orderin g Information: Si1926DL-T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si1926DL-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
S 1
N -Channel MOSFET
S 2
N -Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwis e noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
60
± 20
0.37
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I D
I DM
I S
0.30
0.34 b, c
0.27 b, c
0.65
0.43
0.25 b, c
0.51
A
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
0.33
0.30 b, c
W
T A = 70 °C
0.20 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
b, d
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
R thJA
R thJF
360
300
415
350
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 5 s.
d. Maximum under steady state conditions is 400 °C/W.
Document Number: 73684
S10-0792-Rev. D, 05-Apr-10
www.vishay.com
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